シリーズ
SiC Power
包装
Box
テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
部品の状態
Active
RoHS対応
選ばれる理由
品質保証
品質保証
ESD対策
静電気対策
グローバル配送
迅速発送
迅速対応
迅速見積
見積依頼
価格が表示されませんか？見積依頼を送信いただければすぐにご返答します。
最小注文1 個
プロの梱包
オリジナル梱包
工場密封、ESDトレイ
乾燥剤保護
湿度表示カード・シリカゲル付き
真空梱包
防湿袋、窒素充填
安全梱包
緩衝材、衝撃表示
| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | FET, MOSFET Arrays |
| メーカー | GE Aerospace |
| シリーズ | SiC Power |
| 包装 | Box |
| テクノロジー | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Feature | - |
| 部品の状態 | Active |
| パワー - マックス | 1250W |
| 製造業者 | GE Aerospace |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 取り付けタイプ | Chassis Mount |
| 資格 | AEC-Q101 |
| パッケージ / ケース | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 160mA |
| 基本製品番号 | GE12047 |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 475A, 20V |
| サプライヤーデバイスタイプ | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1248nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29300pF @ 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 475A |
パッケージ
-
MSL
-