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SiC Power
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | FET, MOSFET Arrays |
| メーカー | GE Aerospace |
| シリーズ | SiC Power |
| 包装 | Bulk |
| テクノロジー | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Feature | - |
| 部品の状態 | Active |
| パワー - マックス | 3.75kW |
| 製造業者 | GE Aerospace |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 取り付けタイプ | Chassis Mount |
| 資格 | AEC-Q101 |
| パッケージ / ケース | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 480mA |
| 基本製品番号 | GE12160 |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 475A, 20V |
| サプライヤーデバイスタイプ | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3744nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90000pF @ 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.425kA (Tc) |
パッケージ
-
MSL
-