シリーズ
CoolSiC™
FET Type
N-Channel
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Tube
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+23V, -5V
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single FETs, MOSFETs |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 成績 | - |
| シリーズ | CoolSiC™ |
| FET Type | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| Vgs (Max) | +23V, -5V |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET Feature | - |
| 部品の状態 | Active |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| 資格 | - |
| パッケージ / ケース | TO-247-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 11mA |
| 基本製品番号 | IMZA65 |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 38.3A, 18V |
| Power Dissipation (Max) | 189W (Tc) |
| サプライヤーデバイスタイプ | PG-TO247-4-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2131 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
パッケージ
-
MSL
-