シリーズ
CoolMOS™ P7
FET Type
N-Channel
包装
Tube
Vgs (Max)
±20V
RoHS対応
選ばれる理由
品質保証
品質保証
ESD対策
静電気対策
グローバル配送
迅速発送
迅速対応
迅速見積
見積依頼
価格が表示されませんか？見積依頼を送信いただければすぐにご返答します。
最小注文1 個
プロの梱包
オリジナル梱包
工場密封、ESDトレイ
乾燥剤保護
湿度表示カード・シリカゲル付き
真空梱包
防湿袋、窒素充填
安全梱包
緩衝材、衝撃表示
| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single FETs, MOSFETs |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 成績 | - |
| シリーズ | CoolMOS™ P7 |
| FET Type | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| Vgs (Max) | ±20V |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| 部品の状態 | Obsolete |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| 資格 | - |
| パッケージ / ケース | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
| 基本製品番号 | IPP60R600 |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.7A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| サプライヤーデバイスタイプ | PG-TO220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
パッケージ
-
MSL
-