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HEXFET®
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N-Channel
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single FETs, MOSFETs |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 成績 | - |
| シリーズ | HEXFET® |
| FET Type | N-Channel |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| 部品の状態 | Obsolete |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| 資格 | - |
| パッケージ / ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 7.3A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| サプライヤーデバイスタイプ | 8-SO |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
パッケージ
-
MSL
-