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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | FET, MOSFET Arrays |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 成績 | - |
| シリーズ | FASTIRFET™ |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| 部品の状態 | Obsolete |
| パワー - マックス | 156W |
| 製造業者 | Infineon Technologies |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| 資格 | - |
| パッケージ / ケース | 32-PowerWFQFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
| 基本製品番号 | IRFHE4250 |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V |
| サプライヤーデバイスタイプ | 32-PQFN (6x6) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1735pF @ 13V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 86A, 303A |
パッケージ
-
MSL
-