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HEXFET®, StrongIRFET™
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single FETs, MOSFETs |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 成績 | - |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| FET Type | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| Vgs (Max) | ±20V |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| 部品の状態 | Discontinued at Digi-Key |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| 資格 | - |
| パッケージ / ケース | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 294W (Tc) |
| サプライヤーデバイスタイプ | D2PAK |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 279 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10034 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
パッケージ
-
MSL
-