FET Type
N-Channel
包装
Tube
Vgs (Max)
+23V, -10V
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SiCFET (Silicon Carbide)
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single FETs, MOSFETs |
| メーカー | Microchip Technology |
| 成績 | - |
| シリーズ | - |
| FET Type | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| Vgs (Max) | +23V, -10V |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET Feature | - |
| 部品の状態 | Active |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| 資格 | - |
| パッケージ / ケース | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.25V @ 2.5mA (Typ) |
| 基本製品番号 | MSC035 |
| 動作温度 | -60°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 30A, 20V |
| Power Dissipation (Max) | 370W (Tc) |
| サプライヤーデバイスタイプ | TO-247-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178 nC @ 20 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 68A (Tc) |
パッケージ
-
MSL
-