A2T18H455W23NR6

RF MOSFET LDMOS 31.5V OM1230-42

Gain
14.5dB
周波数
1.805GHz ~ 1.88GHz
包装
Bulk
テクノロジー
LDMOS
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パラメータ
カテゴリRF FETs, MOSFETs
メーカーNXP Semiconductors
Gain14.5dB
シリーズ-
周波数1.805GHz ~ 1.88GHz
包装Bulk
テクノロジーLDMOS
部品の状態Obsolete
製造業者NXP Semiconductors
Noise Figure-
ConfigurationN-Channel
取り付けタイプSurface Mount
Current - Test1.08 A
パッケージ / ケースOM-1230-4L2S
Power - Output87W
Voltage - Test31.5 V
電圧 - 定格65 V
現在の評価(アンペア)10µA
サプライヤーデバイスタイプOM-1230-4L2S
パッケージ
-
MSL
-

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