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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single Bipolar Transistors |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| 成績 | Automotive |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| 部品の状態 | Active |
| パワー - マックス | 250 mW |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| 資格 | AEC-Q101 |
| パッケージ / ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数 - 遷移 | 100MHz |
| サプライヤーデバイスタイプ | TO-236AB |
| Vce飽和（最大）@ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| 現在 - コレクター遮断（最大） | 15nA (ICBO) |
| DC電流利得 (hFE) (最小) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
パッケージ
-
MSL
-