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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single Bipolar Transistors |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| 部品の状態 | Active |
| パワー - マックス | 325 mW |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| パッケージ / ケース | 3-XDFN Exposed Pad |
| Transistor Type | PNP |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数 - 遷移 | 170MHz |
| サプライヤーデバイスタイプ | DFN1010D-3 |
| Vce飽和（最大）@ Ib, Ic | 210mV @ 50mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| 現在 - コレクター遮断（最大） | 100nA (ICBO) |
| DC電流利得 (hFE) (最小) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
パッケージ
-
MSL
-