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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single, Pre-Biased Bipolar Transistors |
| メーカー | Nexperia USA Inc. |
| 成績 | Automotive |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態 | Active |
| パワー - マックス | 325 mW |
| 製造業者 | Nexperia USA Inc. |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| 資格 | AEC-Q101 |
| パッケージ / ケース | 3-XDFN Exposed Pad |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| 抵抗器が含まれています | R1 and R2 |
| 基本製品番号 | PDTD113 |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| 周波数 - 遷移 | 210 MHz |
| サプライヤーデバイスタイプ | DFN1010D-3 |
| 抵抗器 - エミッタベース (R2) | 1 kOhms |
| Vce飽和（最大）@ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| 現在 - コレクター遮断（最大） | 500nA |
| DC電流利得 (hFE) (最小) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
パッケージ
-
MSL
-