SA2T18H450W19SR6

RF MOSFET LDMOS 30V NI1230

Gain
16.6dB
周波数
1.805GHz ~ 1.88GHz
包装
Bulk
テクノロジー
LDMOS
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パラメータ
カテゴリRF FETs, MOSFETs
メーカーNXP Semiconductors
Gain16.6dB
シリーズ-
周波数1.805GHz ~ 1.88GHz
包装Bulk
テクノロジーLDMOS
部品の状態Obsolete
製造業者NXP Semiconductors
Noise Figure-
ConfigurationDual
取り付けタイプChassis Mount
Current - Test800 mA
パッケージ / ケースNI-1230S-4S4S
Power - Output89W
Voltage - Test30 V
電圧 - 定格65 V
現在の評価(アンペア)10µA
サプライヤーデバイスタイプNI-1230S-4S4S
パッケージ
-
MSL
-

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