A2T23H160-24SR3

RF MOSFET LDMOS 28V NI780

Gain
17.7dB
周波数
2.3GHz
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
LDMOS
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パラメータ
カテゴリRF FETs, MOSFETs
メーカーNXP USA Inc.
Gain17.7dB
シリーズ-
周波数2.3GHz
包装Tape & Reel (TR)
テクノロジーLDMOS
部品の状態Obsolete
製造業者NXP USA Inc.
Noise Figure-
ConfigurationDual
取り付けタイプChassis Mount
Current - Test350 mA
パッケージ / ケースNI-780S-4L2L
Power - Output28W
Voltage - Test28 V
電圧 - 定格65 V
基本製品番号A2T23
現在の評価(アンペア)-
サプライヤーデバイスタイプNI-780S-4L2L
パッケージ
-
MSL
-

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