MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6在庫ありRoHS / 適合

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RQ6E080AJTCR

MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6

FET Type
N-Channel
包装
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±12V
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
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パラメータ
カテゴリSingle FETs, MOSFETs
メーカーRohm Semiconductor
成績-
シリーズ-
FET TypeN-Channel
包装Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±12V
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
部品の状態Active
取り付けタイプSurface Mount
資格-
パッケージ / ケースSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 2mA
基本製品番号RQ6E080
動作温度150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max)950mW (Ta)
サプライヤーデバイスタイプTSMT6 (SC-95)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1810 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
パッケージ
-
MSL
-

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