FET Type
N-Channel
包装
Tube
Vgs (Max)
+22V, -6V
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SiCFET (Silicon Carbide)
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single FETs, MOSFETs |
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 成績 | - |
| シリーズ | - |
| FET Type | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET Feature | - |
| 部品の状態 | Active |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| 資格 | - |
| パッケージ / ケース | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
| 基本製品番号 | SCT2H12 |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| サプライヤーデバイスタイプ | TO-3PFM |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 184 pF @ 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Tc) |
パッケージ
-
MSL
-