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No Recovery Time > 500mA (Io)
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Tube
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SiC (Silicon Carbide) Schottky
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Active
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Diode Arrays |
| メーカー | SemiQ |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| テクノロジー | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 部品の状態 | Active |
| 製造業者 | SemiQ |
| 取り付けタイプ | Chassis Mount |
| パッケージ / ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| 基本製品番号 | GHXS030 |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| サプライヤーデバイスタイプ | SOT-227 |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
| 電圧 - DC逆 (Vr) (最大) | 1200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 30 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 30A |
パッケージ
-
MSL
-