シリーズ
π-MOSVIII
FET Type
N-Channel
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Tube
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±30V
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single FETs, MOSFETs |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 成績 | - |
| シリーズ | π-MOSVIII |
| FET Type | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| Vgs (Max) | ±30V |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| 部品の状態 | Active |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| 資格 | - |
| パッケージ / ケース | TO-220-3 Full Pack |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
| 基本製品番号 | TK9A90 |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 4.5A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| サプライヤーデバイスタイプ | TO-220SIS |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
パッケージ
-
MSL
-