シリーズ
TrenchFET®
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N-Channel
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single FETs, MOSFETs |
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 成績 | - |
| シリーズ | TrenchFET® |
| FET Type | N-Channel |
| 包装 | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | ±8V |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| 部品の状態 | Active |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| 資格 | - |
| パッケージ / ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| 基本製品番号 | SI2302 |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 710mW (Ta) |
| サプライヤーデバイスタイプ | SOT-23-3 (TO-236) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
パッケージ
-
MSL
-