MOSFET N-CH 30V 12A 8SO在庫ありRoHS / 適合

画像は参考用です

SI4178DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

シリーズ
TrenchFET®
FET Type
N-Channel
包装
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±25V
データシート (PDF)
RoHS対応

選ばれる理由

品質保証
品質保証
ESD対策
静電気対策
グローバル配送
迅速発送
迅速対応
迅速見積

プロの梱包

オリジナル梱包

工場密封、ESDトレイ

乾燥剤保護

湿度表示カード・シリカゲル付き

真空梱包

防湿袋、窒素充填

安全梱包

緩衝材、衝撃表示

パラメータ
カテゴリSingle FETs, MOSFETs
メーカーVishay Siliconix
成績-
シリーズTrenchFET®
FET TypeN-Channel
包装Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±25V
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
部品の状態Active
取り付けタイプSurface Mount
資格-
パッケージ / ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
基本製品番号SI4178
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max)2.4W (Ta), 5W (Tc)
サプライヤーデバイスタイプ8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds405 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
パッケージ
-
MSL
-

Related Products