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TrenchFET®
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P-Channel
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single FETs, MOSFETs |
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 成績 | - |
| シリーズ | TrenchFET® |
| FET Type | P-Channel |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| 部品の状態 | Obsolete |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| 資格 | - |
| パッケージ / ケース | PowerPAK® 1212-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 300µA |
| 基本製品番号 | SI7411 |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 11.4A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| サプライヤーデバイスタイプ | PowerPAK® 1212-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 4.5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta) |
パッケージ
-
MSL
-