MOSFET 2N-CH 4DFNAuf LagerRoHS / Konformität

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AOC2870

MOSFET 2N-CH 4DFN

Serie
AlphaMOS
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Teilestatus
Not For New Designs
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Werksversiegelt, ESD-antistatisches Tablett

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Feuchtigkeitsanzeiger & Silikagel inklusive

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Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlphaMOS
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusNot For New Designs
Leistung - Max1.4W
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
MontageartSurface Mount
Paket / Fall4-XDFN
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
BasisproduktnummerAOC287
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Lieferanten-Gerätepaket4-DFN (1.7x1.7)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Gehäuse
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MSL
-

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